(조세금융신문=김필주 기자) SK하이닉스가 세계 최초로 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발에 성공했다고 29일 밝혔다.

이날 SK하이닉스는 “10나노급 D램 기술이 세대를 거듭하면서 미세공정의 난이도가 극도로 높아졌으나 당사는 업계 최고 성능이 입증된 5세대(1b) 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술한계를 돌파했다”며 “연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급해 메모리 반도체 시장의 성장을 이끌어 갈 것”이라고 강조했다.

또 “기존 1b D램의 플랫폼을 확장하는 방식으로 1c를 개발했다”며 “이를 통해 공정 고도화 과정에서 발생할 수 있는 시행착오 감소는 물론 업계 최고 성능 D램으로 인정받는 자사 보유 1b의 강점을 가장 효율적으로 1c로 옮겨올 수 있다고 회사의 기술진은 판단했다”고 덧붙였다.

이어 “EUV 특정 공정에 신소재를 개발 적용하고 전체 공정 중 EUV 적용 공정 최적화를 통해 원가 경쟁력도 확보했다”며 “설계 기술 혁신까지 병행함에 따라 이전 세대인 1b 대비 생산성을 30% 이상 향상시켰다”고 부연했다.

김종환 SK하이닉스 부사장(DRAM 개발담당)은 “최고의 성능과 원가 경쟁력을 동시 충족시킨 1c 기술을 차세대 ▲HBM ▲LPDDR6 ▲GDDR7 등 최첨단 D램 주력 제품군에 적용해 고객에게 차별화된 가치를 제공할 것”이라며 “앞으로도 당사는 D램 시장 리더십을 지키면서 고객으로부터 가장 신뢰받는 AI 메모리 솔루션 기업의 위상을 공고히 하겠다”고 말했다.
 

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