(조세금융신문=김필주 기자) 이강욱 SK하이닉스 부사장(패키지 개발 담당)이 AI 관련 반도체인 HBM의 수요가 향후 더욱 늘어날 것이라고 전망했다.

 

3일  대만에서 열린 'SEMICON TAIWAN'에 참석한 이강욱 부사장은 ‘AI 시대를 대비하는 HBM과 어드밴스드 패키징 기술’을 주제로 한 세션 발표에서 이같이 밝혔다.

 

이강욱 부사장은 “HBM 성능 발전에 따라 HBM의 수요도 AI 시장에서 더 늘어날 것으로 전망된다”며 “지난 2023년부터 오는 2032년까지 생성형 AI 시장은 연평균 27% 성장할 것으로 예상되는데 HBM 시장은 2022년부터 2025년까지 이미 연평균 109%의 성장할 것으로 예측된다”고 진단했다.

 

그러면서 “HBM은 AI 서버와 고성능 컴퓨팅용 메모리로 광범위하게 채택되고 있다”며 “응용제품(Application)에 따라 다르지만 HBM 세대가 발전하면서 훈련, 추론 AI 서버에 탑재되는 평균 채택 숫자도 더 늘어날 것으로 보인다”고 내다봤다.

 

이강욱 부사장은 고객사의 니즈에 발맞춰 최신 HBM 개발에도 집중하겠다고 전했다.

 

그는 “현재 16단 제품 대응을 위한 기술을 개발 중인데 최근 연구에서 16단 제품에 대한 Advanced MR-MUF 기술 적용 가능성을 확인했다”며 “기존 하이브리드 본딩 기술을 적용할 경우 제품 성능, 용량 증가 및 열 방출 측면에서 장점이 있으나 기술 완성도 및 양산 인프라 준비 측면에서 해결해야 할 여러 선결 과제들이 있다. 두 가지 방식에 대한 기술 완성도를 빠르게 높여, 메모리 고용량화에 대한 고객 니즈에 선제적으로 대응하려 한다”고 말했다.

 

이어 “SK하이닉스는 HBM4 및 이후 세대 제품 개발을 준비 중에 있다”면서 “대역폭, 용량, 에너지 효율 측면에서의 기술적 난제들을 해결하기 위해 2.5D 및 3D SiP(System in Package) 패키징 등을 포함해 다양한 대응 방안을 검토하고 있다”고 부연했다. 

 

또한 그는“ HBM4E부터는 커스텀(Custom) 성격이 강해질 것으로 예상돼 다양한 고객 요구에 효율적으로 대응하기 위한 생태계 구축 관점에서도 글로벌 파트너들과의 협력을 강화하고 있다”고 강조했다.

 

SK하이닉스에 따르면 회사가 HBM 제품에 적용한 MR-MUF 패키징 기술은 낮은 본딩(칩 접합) 압력·온도 적용과 일괄 열처리가 가능해 생산성과 신뢰성 측면에서 타 공정 대비 유리하다. 

 

이와함께 높은 열전도 특성을 갖는 Gap-Fill 물질(빈 공간을 채우는 물질) 및 높은 밀도의 메탈 범프(HBM D램을 수직으로 적층할 때 회로 연결 역할을 하는 초소형 돌기 형태의 소재) 형성이 가능해 타 공정 대비 열 방출 면에서 30% 이상 효율적이다.

 

 

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