(조세금융신문=김필주 기자) SK하이닉스가 경기 용인 반도체 클러스터에 9조4000억원을 투자하기로 결정했다.

 

26일 SK하이닉스는 이날 이사회를 열고 경기 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹(Fab)과 업무 시설 등의 건설을 위해 약 9조4000억을 투자하기로 의결했다고 밝혔다.

 

SK하이닉스에 따르면 경기도 용인 원삼면 일대 415만m2 규모 부지에 조성되는 용인 클러스터는 현재 부지 정지(整地) 및 인프라 구축 작업이 진행 중이다. 

 

이날 이사회에서 승인된 투자액에는 1기 팹과 함께 부대시설·업무지원동·복지시설 등 클러스터 초기 운영에 필요한 각종 건설 비용이 포함됐다. 투자기간은 팹 건설 준비를 위한 설계 기간과 2028년 하반기 준공 예정인 업무지원동 등을 고려해 오는 8월부터 2028년말까지로 산정했다.

 

용인 반도체 클러스터 부지에는 차세대 반도체를 생산할 최첨단 팹 4개와 국내외 50여개 소부장 기업들이 소재할 반도체 협력단지 등이 들어설 예정이다.

 

SK하이닉스는 첫 팹 건설 이후 나머지 3개 팹도 순차적으로 완공해 용인 클러스터를 ‘글로벌 AI 반도체 생산 거점’으로 조성한다는 전략이다.

 

SK하이닉스는 “기존에 정해진 일정대로 용인 클러스터에 들어설 첫 팹을 내년 3월 착공해 2027년 5월에 준공할 계획인데 이에 앞서 이사회의 투자 의사결정을 받은 것”이라며 “회사의 미래 성장 기반을 다지고 급증하고 있는 AI 메모리 반도체 수요에 적기 대응하고자 팹 건설에 만전을 기하겠다”고 설명했다.

 

회사는 용인 첫 번째 팹에서 대표적인 AI 메모리인 HBM을 비롯해 차세대 D램을 생산할 예정이다. 또한 완공 시점 시장 수요에 맞춰 다른 제품 생산에도 팹을 활용할 수 있도록 준비하기로 했다.

 

동시에 SK하이닉스는 국내 소부장 중소기업들의 기술 개발·실증·평가를 돕기 위한 ‘미니팹’을 1기 팹 내부에 구축할 계획이다. 회사는 미니팹을 통해 실제 생산 현장과 유사한 환경을 소부장 협력사들에게 제공해 이들이 자체 기술의 완성도를 높일 수 있도록 최대한 지원하기로 했다. 

 

미니팹은 반도체 소재·부품·장비 등을 실증하기 위해 300mm 웨이퍼 공정장비를 갖춘 연구시설이다.

 

김영식 SK하이닉스 부사장(제조기술담당)은 “용인 클러스터는 SK하이닉스의 중장기 성장 기반이자 협력사들과 함께 만들어 가는 혁신과 상생의 장(場)이 될 것”이라며 “당사는 대규모 산단 구축을 성공적으로 완수해 대한민국 반도체 기술력과 생태계 경쟁력을 획기적으로 높여 국가경제 활성화에 기여하려 한다”고 강조했다. 

 

 

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