(조세금융신문=이한별 기자) 김기남 삼성전자 DS부문장(사장)이 23일 "메모리사업에서 2세대 10나노급 D램, 5세대 V낸드 등 고부가 제품을 안정적으로 확대하고 차별화 제품으로 경쟁사와 기술격차를 벌릴 것"이라고 말했다.

김 사장은 이날 서울 삼성 서초사옥에서 열린 '제49기 정기 주주총회'에서 "올해 부품 시장은 고용량·고부가 제품의 수요 증가가 예상된다"고 전망하며 이 같이 말했다.

그는 "시스템LSI 사업에서는 미래 핵심 기술을 적기에 개발해 차세대 성장 동력을 확보하고 SoC, 이미지센서 등 차세대 모바일 경쟁력을 강화할 계획"이라며 "디스플레이 사업은 OLED의 경우 스마트폰 업체들의 수요에 적극 대응하고 기술 차별화와 신규 응용처에 대한 기술 역량도 강화할 예정"이라고 설명했다.

김 사장은 "LCD는 고부가 제품 경쟁력을 강화하고 판매 비중도 확대해 사업 경쟁력을 높여 나갈 방침"이라며 "파운드리 사업에서는 내년 세계 최초로 7나노 EUV 적용 제품 양산을 위해 공정 기술 리더십을 확보하고 파운드리 에코시스템 구축과 고객 다변화로 경쟁력 있는 사업 기반을 마련할 것"이라고 말했다.

이날 "중국이 국가 차원에서 200조 이상을 반도체에 투자 하며 기술을 따라오는데 어떤 대응을 준비하고 있느냐"는 한 주주의 질문에 그는 "중국 업체들이 전 반도체 부문에 진입하고 있으며 중국 정부가 적극 지원하는 것도 사실"이라고 말했다.

김 사장은 "하지만 반도체는 진입 장벽이 높아 단기간 대규모 투자만으로 기술 격차가 쉽게 좁혀지지 않을 것"이라고 말했다.

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